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未來五年預計上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲市場?

漁翁先生 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:Allen Yin 整合 ? 2019-08-08 12:02 ? 次閱讀

8月5日,在美國舉行的“MRAM開發者日”活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢。他指出,MRAM作為下一代非易失性存儲器的替代者市場正在迅速擴大。到2024年,MRAM的市場規模將增加40倍。

就目前存儲市場而言,Bertolazzi表示,2018年全球半導體存儲器市場達到了1650億美元,比上一年增長了26%。市場規模達到有史以來最高值。2019年的市場預計將大幅下降至約1100億美元。

另外,半導體存儲器市場一個顯著特征是DRAM和NAND閃存是占比很高。2018年DRAM的份額為61%,NAND閃存的份額為36%。它們占總數的97%。只剩下3%。

余下的3%,NOR閃存占1.6%,非易失性SRAM和鐵電存儲器FRAM為0.6%,下一代非易失性存儲器(新興NVM)為0.2%,其他存儲器(標準EEPROM和掩模ROM等)為0.6%。


圖1:存儲器市場按產品類別劃分的市場份額及市場增長趨勢。圖片來源/Yole

下一代非易失性存儲器市場規模在5年內翻至26倍

如前所述,2018年半導體存儲器市場中下一代非易失性存儲器的份額非常小,為0.2%。即使在2023年,存儲的百分比仍將低于3%。雖然市場規模本身將大幅增長,但DRAM和NAND閃存的寡頭壟斷局面不會改變。


圖2:下一代非易失性存儲器(新興NVM)市場預測(一)。圖片來源/Yole

下一代非易失性存儲器(Emerging NVM)的市場規模在2018年約為2.8億美元。這將在2023年迅速擴大到72億美元。年平均增長率極高,達到104%。快速增長是由3DXPoint內存代表的大容量內存(存儲級內存)驅動。


圖3:下一代非易失性存儲器(新興NVM)市場預測(二)。圖片來源/Yole

2020年后,嵌入式內存的比例將會增加。在2018年,嵌入式存儲器的份額占總數的2%。到2020年,嵌入式存儲器市場將快速增長,但這一比例將保持在2%不變。這將在2023年增加到16%。換句話說,嵌入式存儲器將在2020年后引領下一代非易失性存儲器市場。

高價格和低存儲容量是MRAM的弱點

會上,Bertolazzi重點介紹了了MRAM技術。相比其他存儲器技術,如:DRAM,NAND閃存,NOR閃存,PCM(3D XPoint存儲器)和ReRAM,它又有什么特別之處呢?


圖4:半導體存儲器產品技術比較(一)(如:價格,內存密度,重寫次數和速度)。圖片來源/Yole

與2018年的單個存儲器產品相比,MRAM在速度和重寫次數方面具有優勢,但價格(每個存儲容量)和存儲容量較差。在六種存儲器技術中,價格(每個存儲容量)是第二高的,存儲容量是第二低的。


圖5:半導體存儲器產品技術比較(二)(如:價格,內存密度,重寫次數和速度)。圖片來源/Yole

MRAM存儲容量將在未來五年內增加八倍

但Bertolazzi預測,MRAM的弱點將在未來五年內大幅緩解。DRAM存儲容量(每個芯片)僅從16Gbit增加到32Gbit。這是因為小型化顯著減緩。截至2018年的生產技術是15nm一代,到2024年將保持11nm一代。


圖6:MRAM和DRAM的技術路線圖。圖片來源/Yole

相比之下,MRAM仍有小型化的空間。截至2018年,制造技術是40nm一代,而在2024年,這將一下子減少到16nm。存儲容量預計將從1Gbit增加到8Gbit。

在嵌入式存儲器中,MRAM的優勢隨著小型化而擴大

MRAM不僅可以擴展為單個存儲器,還可以擴展為嵌入式存儲器(嵌入在與微控制器和SoC等邏輯相同的硅芯片中的存儲器)。與其他存儲器技術(閃存/DRAM/SRAM/PCM/ReRAM)相比,作為嵌入式存儲器的特性具有許多優點。

特別是,由于嵌入式閃存(eFlash)正在達到小型化的極限,因此嵌入式MRAM作為第一替代產品受到關注。此外,由于SRAM的小型化速度正在放緩并且硅的面積很大,因此MRAM很可能在下一個應用領域將SRAM替換為低速工作存儲器。將來,人們期望最后一級緩存(LL Cache)將取代高速SRAM和嵌入式DRAM。

所有領先的硅代工廠都在提供嵌入式MRAM宏,而主要的硅代工廠正在合作開發單個的小型化MRAM。此外,主要制造設備供應商已經開發出MRAM薄膜生產設備和批量生產蝕刻設備。


圖7:MRAM市場預測。圖片來源/Yole

通過這些積極舉動,Yole Development預計MRAM的市場規模將在未來迅速擴大。2018年至2024年間,市場規模將以年均85%的速度增長,到2024年將達到17.8億美元。與2018年相比,它將增加40倍。
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TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌電流驅動器,適用于占空比為 1 至 32 的多路復用系統。 每個通道都具有單獨可調的 65536 步長脈寬調制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位顯示存儲器以提升視覺刷新率,同時降低 GS 數據寫入頻率。輸出通道分為三組,每組含 16 個通道。 各組都具有 512 步長顏色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大電流值可通過 8 步長全局亮度控制 (BC) 功能設置。 CC 和 BC 可用于調節 LED 驅動器之間的亮度偏差。 可通過一個串行接口端口訪問 GS、CC 和 BC 數據。如需應用手冊:,請通過電子郵件發送請求。TLC5958 有一個錯誤標志:LED 開路檢測 (LOD),可通過串行接口端口讀取。 TLC5958 還具有節電模式,可在全部輸出關閉后將總流耗設為 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌電流輸出具有最大亮度控制 (BC)/最大顏色亮度控制 (CC) 數據的灌電流: 5VCC 時為 25mA 3.3VCC 時為 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步長) 每個顏色組的顏色亮度控制 (CC):9 位(512 步長),三組使用多路復用增強型光譜 (ES) PWM 進行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路復用的 48K 位灰度數據...
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TLC5958 具有 48k 位存儲器的 48 通道、16 位 PWM LED 驅動器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP? Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-μF (2 × 10 μF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
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TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲器功率解決方案、用于嵌入式計算的同步降壓控制器

TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

信息描述 TPS53317A 器件是一款設計為主要用于 DDR 終端的集成場效應晶體管 (FET) 同步降壓穩壓器。 它能夠提供一個值為 ? VDDQ的經穩壓輸出,此輸出具有吸收電流和源電流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 運行模式,簡單易用,所需外部組件數較少并可提供快速瞬態響應。 該器件還可用于其他電流要求高達 6A 的負載點 (POL) 穩壓應用。此外,該器件支持具有嚴格電壓調節功能的 6A 完整灌電流輸出。該器件具有兩種開關頻率設定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成壓降支持、外部跟蹤功能、預偏置啟動、輸出軟放電、集成自舉開關、電源正常功能、V5IN 引腳欠壓鎖定 (UVLO) 保護功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 電容。 該器件支持的輸入電壓最高可達 6V,而輸出電壓在 0.45V 至 2.0V 范圍內可調。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引腳超薄四方扁平無引線 (VQFN) 封裝(綠色環保,符合 RoHS 標準并且無鉛),其中應用了 TI 專有的集成 MOSFET 和封裝技術,其額定運行溫度范圍為 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 專有的集成金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和封裝技術支持 DDR 內存...
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TPS53317A 用于 DDR 存儲器終端的 6A 輸出 D-CAP+ 模式同步降壓集成 FET 轉換器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

信息描述 TPS51716 用最少總體成本和最小空間提供一個針對 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 內存系統的完整電源。 它集成了同步降壓穩壓器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO (VTT) 和經緩沖的低噪聲基準 (VTTREF)。 TPS51716 采用與 500kHz 或 670kHz 工作頻率相耦合的 D-CAP2? 模式,此模式在無需外部補償電路的情況下可支持陶瓷輸出電容器。 VTTREF 跟蹤 VDDQ/2 的精度高達 0.8%。 能夠提供 2A 灌電流/拉電流峰值電流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷電容器。 此外,此器件特有一個專用的 LDO 電源輸入。TPS51716 提供豐富、實用的功能以及出色的電源性能。 它支持靈活功率級控制,將 VTT 置于 S3 中的高阻抗狀態并在 S4/S5 狀態中將 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放電(軟關閉)。 它包括具有低側 MOSFET RDS(接通)感測的可編程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和熱關斷保護。TPS51716 從 TI 出廠時采用 20引腳,3mm x 3mm QFN 封裝并且其額定環境溫度范圍介于 -40°C 至 85°C 之間。特性 同步降壓控制器 (VDDQ)轉換電壓范圍:3V 至 28V輸出...
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TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存儲器功率解決方案同步降壓

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
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TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
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AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
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AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
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AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
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AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
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AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
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AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
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AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值。基本調整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ? 78次 閱讀
AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 78次 閱讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 64次 閱讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表于 04-18 19:13 ? 48次 閱讀
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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